图穷匕见：美国出口管制新规要点综述
美国时间10月7日，美国商务部工业安全局（BIS）宣布了对美国《出口管理条例》（EAR）的一系列修订，并公布了针对中国企业的新的出口管制限制措施。这是BIS近年来最大幅度的限制性举措，也是近期中美科技“脱钩”的最大动作，对中国的半导体行业乃至整个高科技制造业都影响巨大。BIS通过这一套组合拳，严格限制了中国企业获取高性能计算芯片、先进计算机、特定半导体制造设施与设备以及相关技术的能力，同时对中国的超级计算机行业进行了精准打击。BIS同时还对28家在人工智能、超级计算机、高性能芯片领域领先的中国企业实施定点打击，将对其管控措施升级至与华为类似的程度。
BIS这一次的规则修订影响巨大且深远。一方面，上述相关行业的中国企业未来发展将受到严重的限制；另一方面，这次的规则修订带来了复杂的全新合规要求，企业要对现有的出口管制合规管理体系进行梳理和更新，以及时适应新的合规要求。我们将通过系列文章，为各位详细梳理本次规则修订的具体措施以及企业面临的新的合规要求。本篇文章为系列文章第一篇，主要对本次新规的要点内容进行总体介绍。
对中国企业获取
高性能芯片和先进计算机的限制
美国对华高性能芯片出口限制蓄谋已久。事实上，今年8月底英伟达接到美国政府通知并限制其向中国出口特定高端GPU芯片的事件已反映出美国政府限制中方获取特定芯片的意图和决心。而本次新规则是瞄准了高性能芯片和先进计算机，从多个角度出发对中国企业获取该等物项升级限制：
1. 在CCL（Commerce Control List）中新增对应物项并在出口至中国时适用许可证要求
BIS在CCL中新增3A090（特定高性能集成电路）和4A090（包含3A090下集成电路的计算机、电子零配件及组件），以及对与该等物项相关的软件和技术通过3D001、3E001、4D990与4E001进行管控。
（请长按并上下滑动，阅读详细的管控物项介绍）
【3A090】 - 满足如下条件的集成电路
a. 具有或可设定为在所有输入与输出的双向传输率合计达 600 Gbyte/s 或以上的集成电路（不包括易失性存储器），以及下列任何一项物项：
a.1. 一个或多个执行机器指令的数字处理器单元，其每次操作的比特长度乘以TOPS 中测量的处理性能，所有处理器单元聚集起来，合计为4800或更多；
a.2. 一个或多个数字“原始计算单元”，不包括那些有助于执行与3A090.a.1的TOPS计算有关的机器指令的单元，其每项操作的比特长度乘以TOPS 中测量的处理性能，所有计算单元聚集起来，合计为4800或更多；
a.3. 一个或多个模拟、多值或多级“原始计算单元”，其处理性能以TOPS乘以8来衡量，在所有计算单元中合计为4800或更多；或
a.4. 数字处理器单元和“原始计算单元”的任何组合，其按照3A090.a.1、3A090.a.2和3A090.a.3的计算结果之和为4800或更多。
b. 暂为保留状态。
【4A090】 - 满足如下条件的计算机及相关设备、“电子组件”和“部件”
a. 含有集成电路的计算机、“电子组件”和“部件”，其中任何一项超过3A090.a的限制。
b. 暂为保留状态。
对上述ECCN及满足该等物项参数性能的5A992和5D992物项施加“地区稳定”（Regional Stability）受管控理由，将受管控的前述物项出口至中国时需获取BIS签发的许可证。
2. 增加针对上述高性能芯片和先进计算机的直接产品
当一个非美国原产的物项符合特定要求，且对该物项的出口行为满足特定目的地要求时，该物项受EAR管控，且在进行上述出口行为时需向BIS申请出口许可证。
“非美国原产物项的特定要求”是指物项符合以下两条标准中的任意一项：（1）该物项是特定19项受EAR管控软件/技术的直接产品；且在CCL下被分类为3A090、4A090，或为之准备的3E001及4E001，或是其他在CCL分类下满足或超过了3A090、4A090参数性能的芯片、计算机、电子组件或部件；（2）生产该物项的非美国工厂或工厂的主要部分是特定19项美国原产软件/技术的直接产品；且该物项在CCL下被分类为3A090、4A090，或为之准备的3E001及4E001，或是其他在CCL分类下满足或超过了3A090、4A090参数性能的芯片、计算机、电子组件或部件。
“特定19项软件/技术”是指ECCN为3D001、3D991、3E001、3E002、3E003、3E991、4D001、4D090、4D993、4D994、4E001、4E992、4E993、5D001、 5D002、5D991、5E001、5E991或5E002的软件和技术。
“特定目的地要求”是指出口方“明知”：（1）该等物项被出口、再出口或（国内）转移至中国；或被合成入任何被出口至中国的、被归类为非EAR 99物项的部件、组件、计算机或设备中；或（2）该等技术将被总部位于中国的主体用于生产掩膜或集成电路晶片/裸片。
3. 针对中国企业就上述高性能芯片和先进计算机的流片活动施加限制
如一项技术系：（1）由总部位于中国的实体开发；（2）系受EAR管控的软件的直接产品；（3）在CCL下被归类入3E001；且（4）被用于生产3A090和4A090对应的物项，或其他在CCL分类下满足或超过了3A090、4A090参数性能物项，则该等技术在被从中国出口到全球任何目的地的行为需要获取BIS签发的出口许可证。
从上述三个角度的限制可以发现，在新规生效后，就被归类为3A090、4A090的物项，中国企业通过直接采购美国原产物项、采购非美国原产但使用了特定受EAR管控软件/技术而生成的物项或通过自行设计并进行流片生产的活动均被施加了出口许可证的要求。同时，与3A090、4A090相关软件与技术，如3D001、3E001、4D990以及4E001的跨境传输也受到了直接限制。此外，上述物项的出口所能适用的许可证例外也十分有限。
对中国企业获取
物项以发展超级计算机的限制
美国商务部曾多次在公开场合或文件中提及超算能力对现代化武器和国家安全的关键作用，且近年来以有悖于美国国家安全或外交政策利益的名义将超算行业的多个中国主体列入黑名单。本次新规下，美方从多个角度对中国主体获取物项以发展超级计算机的活动进行了限制。
1. 何为“超级计算机”
EAR下的“超级计算机”主要是指：一个计算“系统”，在41,600立方英尺或更小的范围内，具有100或更多双精度（64位）petaflops或200或更多单精度（32位）petaflops的集体最大理论计算能力。
2. 新增针对“中国超级计算机”最终用途的限制
如果在出口、再出口或（国内）转移时“明知”落入特定范围的物项将被用于特定超级计算机用途，则需要获取BIS的许可证。
“落入特定范围的物项”：（1）受EAR管控并在ECCN 3A001、3A991、4A994、5A002、5A004或5A992中指明的集成电路物项；及（2）受EAR管控并在ECCN 4A003、4A004、4A994、5A002、5A004或5A992中指明的计算机、“电子组件”或“部件”。
“用于特定用途”：（1）“开发”、“生产”、“使用”、操作、安装（包括现场安装）、维护（检查）、修理、大修或翻新位于或运往中国的“超级计算机”；或（2）将被“纳入”或用于位于或运往中国的“超级计算机”的任何“部件”或“设备”的“开发”或“生产”。
3. 新增针对“中国超级计算机”最终用途的直接产品规则
当一个非美国原产的物项符合特定要求，且其出口行为满足特定最终用途和目的地要求时，该物项受EAR管控，且在进行出口行为时需向BIS申请许可证。
“非美国原产物项的要求”是指符合以下两条标准中的任意一项：（1）该物项是特定的受EAR管控的18项ECCN的软件/技术的直接产品；或（2）生产该物项的非美国工厂或工厂的主要部分是特定美国原产的17项ECCN的软件/技术的直接产品。
其中，“18项ECCN的软件/技术”是指：3D001、3D991、3E001、3E002、3E003、3E991、4D001、 4D993（17项中未包括）、4D994、4E001、4E992、4E993、5D001、5D991、5E001、5E991、 5D002或5E002的软件和技术。
“特定最终用途和目的地要求”是指出口方“明知”：（1）该等非美国原产物项将被用于在中国境内设计、“开发”、“生产”、“使用”、操作、安装（包括现场安装）、维护（检查）、修理、大修或翻新超级计算机；或（2）该等非美国原产物项被合成入或用于研发、生产任何将被用于位于中国的，或出口目的地位于中国的超级计算机的部分、部件或设备。
从上述限制可以发现，在新规生效后，当物项用途为位于中国的超级计算机时，获取特定范围的受EAR管控物项及特定直接产品规则下的非美国产物项都被施加了BIS的出口许可证要求。
针对特定实体清单主体
适用特殊直接产品规则
本次新规为28家位于实体清单的中国主体进行了定点打击，为其设置了特殊的直接产品规则；相关规则与华为主体所受限制类似，且超过华为实体所受限制程度。28家主体的名单请见下表：
（请长按并上下滑动表格，进行详细阅读）
（表格内的中文名称仅供参考，实践中对主体的确认需综合名称、别名、地址等多方面因素综合考虑）
针对上述实体，EAR规定当非美国原产物项本身满足特定条件，且该等物项所涉出口活动满足特定条件时，该等非美国原产物项受EAR管控，且在开展上述出口活动时需获取出口许可证。
“非美国原产物项所满足的特定条件”指：（1）该等物项系受EAR管控的18项ECCN的直接产品；或（2）生产该等物项的工厂或工厂的主要设施系美国原产的18项ECCN的直接产品。
其中，“18项ECCN”为：3D001、3D991、3E001、3E002、3E003、3E991、 4D001、4D993、4D994、4E001、4E992、4E993、5D001、5D991、5E001、 5E991、5D002以及5E002。
“出口活动需满足的特定条件”指：（1）非美国原产物项将被合成入或被用于由上述28个主体生产、采购或订购的任何部分、部件或设备的生产或研发中；或（2）非美国原产物项的出口活动（交易中），上述28个主体为采购方、中间收货人、最终收货人或最终用户。
针对上述28个主体的规则与华为实体适用的规则基本一致，主要区别在于特定软件/技术的数量从16个进一步增加至18个（增加了与加密相关的软件和技术：5D002和5E002），进一步拓宽了可能适用的物项范围。
新规加强对于中国获取
受管控半导体制造物项与设备的能力的限制
半导体相关的产品和技术是美方近年来对中国进行打击的重点领域，而本次新规更是在此前的基础上，进一步通过限制中方获取受管控半导体制造设备、将受管控物项用于特定半导体制造用途以及美国人为中国半导体制造相关的活动提供支持等方式，全方位地限制中国半导体行业的发展，尤其是先进半导体制造能力的持续提升。
1. 在CCL下新增受管控半导体制造设备并限制中国获取相关设备的能力
本次新规在CCL中新增了一个新的管控编码：3B090；3B090编码下主要涵盖一些先进半导体制造设备。3B090物项基于地区稳定（Regional Stability）和反恐（Anti-Terrorism）相关的原因受到管控，在被出口到中国大陆的情况下需要获取许可证。
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3B090编码下主要涵盖满足以下条件的半导体制造设备：
a. 下列半导体制造的沉积设备：
a.1. 通过电镀程序沉积钴的设备。
a.2. 能够使用自下而上的填充工艺，在填充金属中沉积空隙/接缝最大尺寸小于或等于3纳米的钴或钨填充金属的化学蒸气沉积设备。
a.3 能够在一个加工室中通过以下方式制造金属触点的设备。
a.3.a. 使用有机金属钨化合物沉积一层，同时将晶圆基板的温度保持在100℃至500℃之间；以及
a.3.b. 进行等离子体工艺，其中化学成分包括氢气（包括H2+N2和NH3）。
a.4. 能够在真空环境下制造金属触点的设备，方法是：
a.4.a. 在化学成分包括氢气（包括H2、H2+N2及NH3）的等离子体过程中进行表面处理，同时将晶圆基板温度维持在100℃至500℃之间。
a.4.b. 使用由等离子体工艺组成的表面处理，其中的化学成分包括氧气（包括O2和O3），同时将晶圆基片的温度保持在40℃和500℃之间；以及
a.4.c. 沉积钨层，同时将晶圆基板的温度保持在100℃和500℃之间。
a.5. 能够在真空环境中选择性地沉积金属钴层的设备，其中第一步使用远程等离子体发生器和离子过滤器，第二步是使用有机金属化合物沉积钴层。
a.6. 能够在铜或钴金属互连的顶面沉积厚度为10纳米或以下的钴层的物理气相沉积设备。
a.7.能够将有机金属铝化合物和卤化钛化合物输送到晶圆基板上，以调整晶体管电气参数为目的而沉积“工作功能金属”的原子层沉积设备。
a.8. 能够在真空环境中通过沉积下列所有材料制造金属触点的设备：
a.8.a. 使用有机金属化合物的氮化钛（TiN）或碳化钨（WC）层，同时将晶片基底温度保持在20℃至500℃之间。
a.8.b. 使用物理溅射沉积技术的钴层，其中工艺压力为1-100 mTorr，同时保持晶圆基板温度低于500℃；以及
a.8.c. 使用有机金属化合物的钴层，其中工艺压力为1-100托，而晶圆基板温度保持在20℃至500℃之间。
a.9. 能够在真空环境下制造铜金属互连的设备，可沉积下列所有材料：
a.9.a. 使用有机金属化合物的钴或钌层，工艺压力为 1-100 托，晶圆基板温度保持在 20℃至 500℃之间；以及
a.9.b. 采用物理气相沉积技术的铜层，其工艺压力为 1-100m Torr，晶圆基板温度保持在 500°C以下。
a.10. 能够使用有机金属化合物对屏障或衬垫进行区域选择性沉积的设备。
a.11. 能够生产空隙/无缝隙的钨或钴的填充物的原子层沉积设备，其结构的长宽比大于5:1，开口小于40纳米，温度小于500˚C。
与ECCN 3B090相关的软件和技术的管控则通过3D001和3E001实现，本次规则新增基于RS原因对相关软件和技术的许可证要求。
2. 新增对于受管控物项用于特定半导体制造最终用途的限制
本次新规下，美方在EAR中新增744.23节，对涉及半导体制造相关的最终用途设置了限制，进一步限制中方获取先进半导体制造相关的受管控物项。具体来说，根据新规：如果“知晓”相关受EAR管控物项将被用于特定与半导体制造相关的最终用途，则不得在没有许可证的情况下出口、再出口或转让。相关受管控物项与受限制的用途间的对应关系如下：
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新规加强对美国人为涉及中国的
特定半导体活动提供支持的限制
新规在半导体制造层面对“美国人”（除了美国公民、也包括美国永久居民以及根据美国法律成立的法人等）的限制更进一步：无论其提供的物项或服务是否受EAR管控，只要该物项用于在位于中国的半导体制造设施中开发或生产集成电路且集成电路符合以下任一标准：
采用非平面晶体管结构的逻辑集成电路或其生产技术节点为16/14纳米或以下；
具有128层或以上的NAND存储器集成电路；或
动态随机存取存储器（DRAM）集成电路，采用半间距为18纳米或更小的生产技术节点。
那么除非获得BIS的出口许可证，否则美国人（U.S. Person）不得：
装运、传输或国内转移相关物项到中国；
促进（facilitate）相关运输、传输或国内转移活动；或
为位于中国境内的相关不受EAR管辖的物项提供服务。
美方围绕新规出台供应链影响缓释措施
新规之外，美国商务部通过发布指引文件和临时通用许可（Temporary General License，“TGL”）等方式，为企业确认相关产品是否基于新规受到EAR管控以及对在满足TGL规定的条件下，在中国进行与在中国境外使用的物项相关的特定、有限的制造活动进行授权；以减轻新规在短期内可能对相关企业的供应链造成的影响。
需注意的是，针对以上各项聚焦于先进计算、超级计算机及半导体制造等领域的规则，新规分别设置了10月7日、10月12日及10月21日三个生效的时间节点，在考虑规则的适用及所产生的实际影响时，也需要将生效时间节点纳入考量。
此外，对于因上述新规而适用新许可证要求的出口活动，新规中设置了保留条款。该等保留条款规定，如果是在2022年10月7日前已在码头、驳船转载或由承运人装载或由承运人运输至出口港途中的物项，只要在2022年11月7日前完成出口、再出口或（国内）转移，则无需按照新规适用许可证要求。
美方更新未经核实清单相关规定
2022年10月7日，BIS宣布将31个中国主体列入其出口管制“未经核实清单”（Unverified List，下称“UVL”）。BIS对外公布的UVL执法理由是，BIS不能完成对于这些实体的最终用途核查（包括发放许可前的核查或者发货后的核查）从而无法核实这些实体的诚信状况。在新增UVL主体的同时，BIS还宣布将9个中国企业从UVL中删除，因为BIS成功核实了它们的真实性。
上述执法之外，美国商务部还宣布了另一项与UVL相关的新规则，即：在相关企业被列入UVL后，如果该企业所在国家的政府持续拒绝安排美国商务部对该企业进行最终用途核查，那么美国商务部将启动程序将该企业纳入“实体清单”。围绕该等规则变化，美国商务部还在同日签发了一份备忘录，对新规做了详细的说明：
第一个60天：若美国商务部在提出进行最终用途核查请求后60日内仍未能安排核查，则其将启动程序将涉案企业加入UVL；以及
第二个60天：若在涉案企业因所在国政府未安排最终用途核查而被加入UVL后60天内美国商务部仍未能进行核查，则其将启动程序将涉案企业加入实体清单。
新增未经核实清单主体名单请见下表：
（请长按并上下滑动表格，进行详细阅读）
（表格内的中文名称仅供参考，实践中对主体的确认需综合名称、别名、地址等多方面因素综合考虑）
被删除未经核实清单主体名单请见下表：
（请长按并上下滑动表格，进行详细阅读）
（表格内的中文名称仅供参考，实践中对主体的确认需综合名称、别名、地址等多方面因素综合考虑）
