数据规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 封装 | Reel |
| 标准包装数量 | 3000 |
| Rohs | 是 |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| 产品种类 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-323-6 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Id-连续漏极电流 | 500 mA |
| Rds On-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 8 V |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| 配置 | Dual |
| 通道模式 | Enhancement |
| 高度 | 1.1 mm |
| 长度 | 2 mm |
| 系列 | FDG6303N |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 1.45 S |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 典型接通延迟时间 | 3 ns |
| 零件号别名 | FDG6303N_NL |
| 单位重量 | 28 mg |
数据表
| 数据表 | 数据表（PDF） |
|---|
产品合规性
| CNHTS | 8541210000 |
|---|---|
| USHTS | 8541210095 |
| JPHTS | 8541210101 |
| KRHTS | 8541219000 |
| MXHTS | 85412101 |
| ECCN | EAR99 |
