数据规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 封装 | Tray |
| 标准包装数量 | 12 |
| Rohs | 是 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| 产品 | Power Semiconductor Modules |
| 类型 | SiC Power MOSFET |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 4 V, 22 V |
| 安装风格 | Screw Mount |
| 封装 / 箱体 | Module |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 系列 | BSMx |
| 配置 | Half-Bridge |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 典型延迟时间 | 50 ns |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| Pd-功率耗散 | 880 W |
| 产品类型 | Discrete Semiconductor Modules |
| 上升时间 | 70 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 165 ns |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1200 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.7 V |
| 零件号别名 | BSM180D12P3C007 |
数据表
| 数据表 | 数据表（PDF） |
|---|
产品合规性
| CNHTS | 8504901900 |
|---|---|
| CAHTS | 8541500000 |
| USHTS | 8541590080 |
| MXHTS | 85415001 |
| BRHTS | 85415020 |
| ECCN | EAR99 |
