数据规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 封装 | Tube |
| 标准包装数量 | 30 |
| Rohs | 是 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 技术 | Si |
| 封装 / 箱体 | TO-247N-3 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 50 A |
| Pd-功率耗散 | 395 W |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
| 产品类型 | IGBT Transistors |
| 子类别 | IGBTs |
数据表
| 数据表 | 数据表（PDF） |
|---|
产品合规性
| CNHTS | 8541290000 |
|---|---|
| USHTS | 8541290095 |
| ECCN | EAR99 |
