数据规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 封装 | Tube |
| 标准包装数量 | 30 |
| Rohs | 是 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor |
| 产品种类 | MOSFET |
| 技术 | SiC |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-247N-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1200 V |
| Id-连续漏极电流 | 55 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 4 V, 22 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.7 V |
| Qg-栅极电荷 | 107 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 262 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 配置 | Single |
| 系列 | SCT3x |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值 | 8.3 S |
| 下降时间 | 24 ns |
| 上升时间 | 39 ns |
| 子类别 | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间 | 49 ns |
| 典型接通延迟时间 | 21 ns |
数据表
| 数据表 | 数据表（PDF） |
|---|
产品合规性
| CNHTS | 8541290000 |
|---|---|
| USHTS | 8541290095 |
| ECCN | EAR99 |
