数据规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 封装 | Tube |
| 标准包装数量 | 1000 |
| Rohs | 是 |
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| 技术 | Si |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Id-连续漏极电流 | 25 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 5 V |
| Qg-栅极电荷 | 44 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 278 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 高度 | 15.49 mm |
| 长度 | 10.41 mm |
| 系列 | D |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 下降时间 | 37 ns |
| 上升时间 | 57 ns |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 子类别 | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 典型接通延迟时间 | 21 ns |
| 单位重量 | 6 g |
数据表
| 数据表 | 数据表（PDF） |
|---|
产品合规性
| CNHTS | 8541290000 |
|---|---|
| USHTS | 8541290095 |
| JPHTS | 8541290100 |
| KRHTS | 8541299000 |
| MXHTS | 85412999 |
| ECCN | EAR99 |
