数据规格
产品属性 | 属性值 |
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封装 | Tube |
标准包装数量 | 500 |
Rohs | 是 |
制造商 | Infineon |
产品种类 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 46 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 93 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 227 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 15.65 mm |
长度 | 10 mm |
系列 | CoolMOS C7 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
宽度 | 4.4 mm |
下降时间 | 7 ns |
上升时间 | 14 ns |
典型关闭延迟时间 | 82 ns |
典型接通延迟时间 | 20 ns |
零件号别名 | IPP65R045C7XKSA1 SP000929422 IPP65R045C7XKSA1 |
单位重量 | 6 g |
数据表
数据表 | 数据表(PDF) |
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产品合规性
CNHTS | 8541290000 |
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USHTS | 8541290095 |
JPHTS | 8541290100 |
KRHTS | 8541299000 |
MXHTS | 85412999 |
ECCN | EAR99 |