数据规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 封装 | Reel |
| 标准包装数量 | 3000 |
| Rohs | 是 |
| 制造商 | Vishay |
| 产品种类 | MOSFET |
| 技术 | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SC-70 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Id-连续漏极电流 | 1.1 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 235 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 600 mV |
| Qg-栅极电荷 | 2 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 420 mW |
| 配置 | Dual |
| 通道模式 | Enhancement |
| 商标名 | TrenchFET |
| 高度 | 0.75 mm |
| 长度 | 2.05 mm |
| 系列 | SI1 |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 正向跨导 - 最小值 | 3 mS |
| 下降时间 | 10 ns |
| 上升时间 | 13 ns |
| 子类别 | MOSFETs |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns |
| 零件号别名 | SI1958DH-T1-GE3 |
| 单位重量 | 28 mg |
数据表
| 数据表 | 数据表（PDF） |
|---|
产品合规性
| CNHTS | 8541210000 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541210095 |
| JPHTS | 8541290100 |
| KRHTS | 8541299000 |
| MXHTS | 85412999 |
| ECCN | EAR99 |
