数据规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
封装 | Tube |
标准包装数量 | 1000 |
Rohs | 是 |
制造商 | STMicroelectronics |
产品种类 | MOSFET |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 520 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 49 nC |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
Pd-功率耗散 | 125 W |
配置 | Single |
通道模式 | Enhancement |
高度 | 9.15 mm |
长度 | 10.4 mm |
系列 | STP11NK50Z |
晶体管类型 | 1 N-Channel Power MOSFET |
宽度 | 4.6 mm |
正向跨导 - 最小值 | 7.7 S |
下降时间 | 15 ns |
上升时间 | 18 ns |
典型关闭延迟时间 | 41 ns |
典型接通延迟时间 | 14.5 ns |
单位重量 | 1.438 g |
数据表
数据表 | 数据表(PDF) |
---|
产品合规性
CNHTS | 8541290000 |
---|---|
USHTS | 8541290095 |
JPHTS | 8541290100 |
KRHTS | 8541299000 |
TARIC | 8541210000 |
MXHTS | 85412101 |
ECCN | EAR99 |