数据规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 封装 | Tube |
| 标准包装数量 | 800 |
| Rohs | 是 |
| 类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商 | onsemi |
| 系列 | SuperFET® III |
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 600µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 465 pF @ 400 V |
| 功率耗散（最大值） | 54W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
数据表
| 数据表 | 数据表（PDF） |
|---|
产品合规性
| CNHTS | 8541290000 |
|---|---|
| USHTS | 8541290095 |
| JPHTS | 8541290100 |
| MXHTS | 85412999 |
| ECCN | EAR99 |
