数据规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 封装 | Reel |
| 标准包装数量 | 500 |
| Rohs | 是 |
| 制造商 | NXP |
| 产品种类 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 mV, 66 V |
| 增益 | 20.2 dB |
| 输出功率 | 27 W |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-270-4 |
| 配置 | Single |
| 高度 | 2.64 mm |
| 长度 | 17.58 mm |
| 工作频率 | 880 MHz |
| 系列 | MRFE6S9125N |
| 宽度 | 9.07 mm |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 通道模式 | Enhancement |
| 湿度敏感性 | Yes |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 0.5 V, 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.1 V |
| 零件号别名 | 935314059528 |
| 单位重量 | 1.646 g |
数据表
| 数据表 | 数据表（PDF） |
|---|
产品合规性
| CNHTS | 8541290000 |
|---|---|
| USHTS | 8541290075 |
| JPHTS | 8541290100 |
| KRHTS | 8541299000 |
| MXHTS | 85412999 |
| ECCN | EAR99 |
