数据规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 技术 | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOP-8 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| Rds On-漏源导通电阻: | 12.8 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1 V |
| Qg-栅极电荷 | 115 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 205 ns |
| 产品类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 66 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 子类别 | MOSFETs |
| 晶体管类型 | 1 P - Channel |
| 典型关闭延迟时间 | 315 ns |
| 典型接通延迟时间 | 22 ns |
| 单位重量 | 83 mg |
| CNHTS | 8541290000 |
数据表
| 数据表 | 数据表（PDF） |
|---|
产品合规性
| USHTS | 8541290095 |
|---|---|
| TARIC | 8541290000 |
| ECCN | EAR99 |
