6月28日消息，《韩国日报》报道三星将于6月30日开始量产3纳米芯片。

2021年三星在年度晶圆代工论坛（SFF）上，介绍了其基于GAA 晶体管结构的3纳米和2纳米工艺节点的路线图，按照计划三星将于2022年上半年生产3纳米芯片，采用环绕闸极技术 ( GAAFET) 技术。

BusinessKorea报道，三星6月初已导入3纳米GAAFET制程，进行试验性量产，成为第一家运用GAAFET技术的公司。今年6月22日，市场传来三星因良率远低于目标延迟3纳米芯片量产的消息，对此三星回应表示仍按进度开始量产3纳米芯片。

三星希望借助GAA技术，在先进制程领域赶超晶圆代工龙头企业台积电。与当前的FinFET（鳍式场效应晶体管）工艺相比，GAA工艺可让芯片面积减少45%的同时提升30%的性能，功耗降低50%。

稍早之前，台积电对外公布了最新技术路线图，该公司3纳米制程节点仍将采用FinFET工艺，第一个3纳米级节点（N3）芯片，有望在今年下半年量产，实体产品将于2023年初交付客户。

除了3纳米“撞档”之外，三星与台积电在2纳米芯片量产时间上同样有“默契”的选择。三星计划2025年量产采用GAA技术的2纳米芯片，台积电也将于2025年量产2纳米（N2）芯片，并将采用GAAFET工艺，以取代FinFET工艺。

近期台积电展开2022年台积电技术研讨会北美场，分享制程技术发展蓝图及未来计划。

其中，台积电初始3纳米节点被称为N3，有望在今年下半年开始量产，并从明年初交付给客户。与N5相比，台积电N3功耗降低25%到30%，性能提升10% 到15%。此外，台积电还将于未来几年推出N3E、N3P、N3S和N3X四种N3衍生制造工艺。

2纳米（N2）方面，台积电透露，N2工艺节点将首次使用GAAFET架构，计划在2025年投产。作为全新的平台，N2 将广泛采用EUV极紫外光刻。新的环栅晶体管结构将大大降低漏电流并提高性能、降低功耗：同等功率和晶体管数量下性能提升10%到15%，或者同等频率和复杂度下功耗降低 25%至30%。同时，N2的节点密度将是N3E的1.1倍以上。

除了移动计算基准版本之外，N2技术平台还包括一个高性能版本，以及全面的小芯片集成解决方案。