随着新能源电动企业的快速发展，全球各大车企和半导体厂商都将目光瞄准以碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）为代表的的第三代半导体领域。

近日，全球半导体巨头英飞凌和博世正开始加速碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）的研发与制造。

博世加码碳化硅，瞄准氮化镓

7月13日，博世公司宣布，将在2026年前投资30亿欧元用于投资半导体业务。

博世集团董事会主席斯特凡·哈通表示，作为投资的一部分，将投入1.7亿欧元在德国罗伊特林根和德累斯顿建立两个全新的芯片研发中心，投入2.5亿欧元用于扩大其在德累斯顿的晶圆厂，增设3000平方米的无尘车间。

据介绍，博世自2021年底起就在罗伊特林根工厂大规模量产碳化硅芯片，以应用于电动和混动汽车的电力电子器件中。碳化硅芯片可帮助电动汽车延长6%的续航里程。

此外，为了让电力电子器件价格更低、效率更高，博世还将探索开发可应用于电动汽车的氮化镓芯片，与传统的硅基功率芯片相比，氮化镓芯片的功率损耗可以减少4倍。

总投资超120亿，英飞凌新厂奠基

近日，英飞凌马来西亚居林第三工厂举行奠基仪式，该项目总投资额超过80亿令吉（约合121.2亿元人民币），将用于第三代半导体碳化硅、氮化镓产品生产，预计2024年第三季度开始量产。

英飞凌首席运营官Rutger Wijburg表示，公司在居林地区的前道晶圆制造基地已形成规模优势，第三工厂达产后，将贡献20亿欧元新增产值，也将使英飞凌更好满足功率半导体需求增长。

今年年初，英飞凌宣布，将在位于马来西亚居林的工厂建造第三个厂区，以提高在第三代半导体（碳化硅和氮化镓）领域的制造能力。

事实上，英飞凌正在集中火力发展第三代半导体。截止今年2月，英飞凌已向3,000多家客户提供基于碳化硅的半导体产品。英飞凌计划到本世纪20年代中期，将碳化硅功率半导体的销售额提升至10亿美元。

英飞凌此前曾透露，将在未来几年把奥地利菲拉赫的6英寸、8英寸硅基半导体生产线改造为第三代半导体生产线。